紅外探測器材料技術是紅外技術發展的核心和基礎。近年來，隨著固態技術的發展和半導體材料提純和生長工藝的進步，紅外探測器材料技術有了巨大的進展。
  這其中，多色、硅或鍺襯底碲鎘汞異質外延薄膜材料技術易于實現大尺寸、低成本，能提高探測器識別目標的能力，增加其抗干擾能力與帶寬，是第三代紅外探測器發展的關鍵材料之一，代表了紅外探測器材料技術發展的重要方向。
  量子阱紅外探測器材料近年來發展迅速，長波陣列的性能已與碲鎘汞陣列的性能相當。它具有獨特的結構特點，更易于實現大規格和多色探測能力，也是紅外探測器材料技術的一個重要發展方向。
   非制冷紅外探測器材料具有低成本、低功耗、高可靠性等優勢，能滿足第三代紅外探測器的高工作溫度要求，是未來小型低成本熱像儀的主流材料，未來的發展方向是繼續縮小像素尺寸，改善溫度靈敏度和空間分辨力，縮短響應時間和降低成本。