伴隨著材料與制造工藝的發展，紅外探測器的發展經歷了三個階段。

  二十世紀六十年代中期以前為第一階段。

  主要是硫化鉛、銻化銦紅外探測器，分別工作在1-3μm和3-5μm大氣窗口。這時的紅外探測器受背景和氣象條件的影響較大，抗干擾能力、特別是抗云層反射陽光的干擾能力強，使其應用受到很大限制。

  二十世紀六十年代中期至七十年代末為第二階段。

  這一時期以工作在3-5μm波段的紅外探測器為主，后期出現了紅外成像技術，在制導武器中得到應用的多元紅外成像系統。

  二十世紀八十年代初至今為第三階段。

  在這一時期首先研制成功了工作在8-14μm波段的長波紅外探測器，繼而又研制成功了以碲鎘汞探測器為主的紅外焦平面陣列。進一步發展的人工控制晶體結構的超晶格多量子阱紅外探測器，已取得很大進展，它有可能是取代碲鎘汞探測器的下一代紅外探測器。